首页> 外文OA文献 >On the role of electron-phonon interaction in the resistance anisotropy of two-dimensional electrons in GaAs heterostructures
【2h】

On the role of electron-phonon interaction in the resistance anisotropy of two-dimensional electrons in GaAs heterostructures

机译:关于电子 - 声子相互作用在电阻各向异性中的作用   Gaas异质结构中的二维电子

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

A contribution of the electron-phonon interaction into the energy of aunidirectional charge ordered state (stripe phase) of two-dimensional electronsin GaAs heterostructures is analyzed. The dependence of the energy on thedirection of the electron density modulation is calculated. It is shown that inelectrons layers situated close to the (001) surface the interference betweenthe piezoelectric and the deformation potential interaction causes apreferential orientation of the stripes along the [110] axis.
机译:分析了GaAs异质结构中电子-声子相互作用对二维电子的单向电荷有序态(条状相)能量的贡献。计算了能量对电子密度调制方向的依赖性。结果表明,在靠近(001)的表面上的电子层中,压电与形变电势相互作用之间的干扰导致条带沿[110]轴优先取向。

著录项

  • 作者

    Fil, D. V.;

  • 作者单位
  • 年度 2001
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号